Продавайте книги с нами!
Каталог товаров

Введение в теорию транзисторов

400 р.

Товар в корзине

Автор: Миддлбрук Р. Д. (1)

Издательство: Издательство главного управления по использованию атомной энергии при совете министров СССР.

Место издания: Москва

Тип переплёта: твёрдый

Год издания: 1960

Формат: Стандартный

Состояние: Очень хорошее.

Количество страниц: 304 с.

На остатке: 1


400 р.

Товар в корзине

Аннотация

Содержание: Главы: 1. Введение, Глава 2. Качественное рассмотрение основ теории плоскостных транзисторов, Глава 3. Качественная физика полупроводника, Глава 4. Количественные соотношения в физике полупроводников, Глава 5. Ток в полупроводниках, Глава 6. Граничные условия в p-n переходе с прямым смещением, Глава 7. p-n переход с приложенным потенциалом постоянного тока, Глава 8. Транзистор типа p-n-p, Глава 9. Влияние внутренней емкости, высокой частоты и обратной связи, Глава 10. Обобщенное решение для p-n-p- транзистора, Глава 11. Приближенные соотношения для полных диффузионных проводимостей, Глава 12. Полная эквивалентная схема для малых сигналов переменного тока, Глава 13. Измененная эквивалентная схема переменного тока, предназначенная для практического применения, Глава 14. Некоторые изменения в основной теории плоскостного транзистора


Оплата: Предоплата, наложенный платёж

Способы оплаты:

  • Наличными из рук в руки;
  • Оплата на карту СБЕРБАНКА;
  • Яндекс.Деньги;

Доставка: По России и за границу

Способы доставки:

Стоимость доставки:

  • По согласованию

Отправка заказов:

  • Отправка в течении 3 дней

Почтовый идентификатор:

  • высылается всегда

Дополнительные сканы и фото:

  • Не высылаются

Торг по цене:

  • не возможен

Хранение неоплаченных заказов:

  • 3 (дней)

Аннотация

Содержание: Главы: 1. Введение, Глава 2. Качественное рассмотрение основ теории плоскостных транзисторов, Глава 3. Качественная физика полупроводника, Глава 4. Количественные соотношения в физике полупроводников, Глава 5. Ток в полупроводниках, Глава 6. Граничные условия в p-n переходе с прямым смещением, Глава 7. p-n переход с приложенным потенциалом постоянного тока, Глава 8. Транзистор типа p-n-p, Глава 9. Влияние внутренней емкости, высокой частоты и обратной связи, Глава 10. Обобщенное решение для p-n-p- транзистора, Глава 11. Приближенные соотношения для полных диффузионных проводимостей, Глава 12. Полная эквивалентная схема для малых сигналов переменного тока, Глава 13. Измененная эквивалентная схема переменного тока, предназначенная для практического применения, Глава 14. Некоторые изменения в основной теории плоскостного транзистора


Товаров в продаже: 138 465

Продавайте книги с нами!