Вы недавно смотрели:
Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (аналитические модели взаимодействия)
300 р.
Товар в корзине
Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (аналитические модели взаимодействия)
300 р.
Авторы:
Сальников А. Н.
(2)
Гестрин С. Г.
(1)
Издательство: Саратовский государственный технический университет
Место издания: Саратов
Тип переплёта: Мягкий
Год издания: 2002
Формат: Обычный
Состояние: Отличное.
Количество страниц: 224 с.
На остатке: 1
300 р.
Аннотация
С дарственной надписью и автографом одного из авторов.
(1586 продаж с 2018 г.)
Оплата: По согласованию
Способы оплаты:
- Contact;
- Migom;
- Unistream;
- Western Union;
- Анелик;
- Банковский перевод;
- Золотая Корона;
- Оплата на карту СБЕРБАНКА;
- Перевод на банковскую карту;
- Почтовый перевод;
Доставка: По России и за границу
Способы доставки:
- почта России;
- самовывоз : ;
Стоимость доставки:
- По согласованию
Отправка заказов:
- Отправка в течении 3 дней
Почтовый идентификатор:
- высылается всегда
Дополнительные сканы и фото:
- Высылаются для любых книг
- До заказа
Торг по цене:
- не возможен
Аннотация
С дарственной надписью и автографом одного из авторов.
Другие книги из раздела "Физика" (1080) у данного продавца
Усреднение в теории устойчивости: Исследование резонансных многочастотных систем
Хапаев М. М.
200 р.
Устойчивость активных линеаризованных цепей с усилительными приборами новых типов
Куликовский А. А.
200 р.
Радиоизмерения и технические средства эксплуатации радиоэлектронного оборудования
Иванов В. И.
Попов А. И.
Михайлов Б. А.
Кудрицкий В. Д.
410 р.
Выходные сигналы радиотехнических устройств при оптимальной фильтрации
Васин В. В.
Степанов Б. М.
80 р.
Достижения физики плазмы
200 р.
Аналогичные книги смотрите в разделах:
