Вы недавно смотрели:
Физика полупроводников
140 р.
Автор:
Шалимова К. В.
(1)
Издательство: Энергия
Место издания: Москва
Тип переплёта: твёрдый
Год издания: 1971
Формат: Обычный
Состояние: Между хорошим и очень хорошим, но есть печать расформированной библиотеки.
Количество страниц: 312 с.
На остатке: 1
140 р.
Аннотация
В книге изложены основные вопросы по физике полупроводников. В ней рассмотрена элементарная теория проводимости и модельные представления о механизме проводимости полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей, диффузия и дрейф неравновесных носителей. заряда, а также изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, оптических и фотоэлектрические свойства полупроводников.
(1586 продаж с 2018 г.)
Оплата: По согласованию
Способы оплаты:
- Contact;
- Migom;
- Unistream;
- Western Union;
- Анелик;
- Банковский перевод;
- Золотая Корона;
- Оплата на карту СБЕРБАНКА;
- Перевод на банковскую карту;
- Почтовый перевод;
Доставка: По России и за границу
Способы доставки:
- почта России;
- самовывоз : ;
Стоимость доставки:
- По согласованию
Отправка заказов:
- Отправка в течении 3 дней
Почтовый идентификатор:
- высылается всегда
Дополнительные сканы и фото:
- Высылаются для любых книг
- До заказа
Торг по цене:
- не возможен
Аннотация
В книге изложены основные вопросы по физике полупроводников. В ней рассмотрена элементарная теория проводимости и модельные представления о механизме проводимости полупроводников, даны основы зонной теории полупроводников, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей, диффузия и дрейф неравновесных носителей. заряда, а также изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, оптических и фотоэлектрические свойства полупроводников.
Другие книги из раздела "Физика" (1080) у данного продавца
Усреднение в теории устойчивости: Исследование резонансных многочастотных систем
Хапаев М. М.
200 р.
Устойчивость активных линеаризованных цепей с усилительными приборами новых типов
Куликовский А. А.
200 р.
Радиоизмерения и технические средства эксплуатации радиоэлектронного оборудования
Иванов В. И.
Попов А. И.
Михайлов Б. А.
Кудрицкий В. Д.
410 р.
Выходные сигналы радиотехнических устройств при оптимальной фильтрации
Васин В. В.
Степанов Б. М.
80 р.
Достижения физики плазмы
200 р.
Аналогичные книги смотрите в разделах:
